Динистор

Динисторы типа 2Н102Г производства СССР на плате

Дини́стор (другие названия: дио́дный тири́стор, дио́д Шо́кли, не путать с диодом Шоттки) — полупроводниковый прибор с двумя выводами, представляющий собой полупроводниковую p-n-p-n-структуру и обладающий S-образной вольт-амперной характеристикой при приложении рабочей полярности внешнего напряжения.

Функционирует как тиристор, но не имеет управляющего электрода, включение в проводящее состояние происходит при превышении прямого напряжения на приборе свыше напряжения отпирания.

Широко используется в силовой полупроводниковой электронике в роли ключа; продолжают создаваться новые конструкции динисторов.

Принцип действия

Структура (а.), схема замещения (б.) и условное графическое обозначение (в.) динистора

В динисторе имеются четыре полупроводниковых слоя и три p-n-перехода. Крайние области именуются эмиттерами, внутренние — базами, крайние p-n-переходы носят название эмиттерных, а внутренний — коллекторного. Прибор имеет два электрода: катод (со стороны n-эмиттера) и анод (со стороны p-эмиттера).

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) динистора, как и ВАХ тиристора, S-образна. Динистор обладает бистабильностью по току в интервале напряжений от напряжения удержания [math]\displaystyle{ U_H }[/math] до напряжения включения [math]\displaystyle{ U_S }[/math]. В этом интервале одному и тому же значению напряжения отвечают два состояния прибора с разными значениями тока: запертое и проводящее. В запертом состоянии напряжение в основном приложено к обратно смещённому коллекторному p-n-переходу, концентрация неосновных носителей в базах незначительна. В проводящем состоянии все три p-n-перехода имеют прямое смещение, в базы инжектируются неосновные носители. При достаточно высокой плотности тока прибор работает подобно диоду с длинной базой при прямом смещении: базовые области заполнены электронно-дырочной плазмой с высокой концентрацией носителей заряда, инжектируемой из эмиттеров. Падение напряжения на базовых областях в этом режиме может существенно превосходить смещение на p-n-переходах.

Типичная вольт-амперная характеристика динистора.
[math]\displaystyle{ U_S,~ I_S }[/math] — напряжение и ток включения;
[math]\displaystyle{ U_H,~I_H }[/math] — напряжение и ток удержания;
[math]\displaystyle{ U_Z }[/math] — максимально допустимое напряжение при обратной (нерабочей) полярности.

Механизм бистабильности динистора такой же, как у тиристора. Этот механизм определяется нелинейным взаимодействием трёх p-n-переходов p-n-p-n-структуры. Переход к проводящему состоянию связан с изменением полярности смещения коллекторного перехода с обратного на прямое при увеличении плотности тока. Механизм взаимодействия трёх р-n-переходов поясняет двухтранзисторная модель (см. рисунок и также в статье Тиристор), в этой модели p-n-p-n-структура представлена как два «составных» p-n-p и n-p-n транзистора в соответствии с показанной на рисунке эквивалентной схемой динистора. Двухтранзисторная модель связывает напряжение включения U_S с коэффициентами передачи по току «составных» транзисторов.

Для включения динистора, как и тиристора, в базы p-n-p-n-структуры необходимо внести избыточные неосновные носители — так называемый «запускающий», или «управляющий», заряд. Величина этого заряда должна превосходить критический заряд [math]\displaystyle{ Q_S, }[/math] характеризующий конкретную p-n-p-n-структуру. Критический заряд [math]\displaystyle{ Q_S }[/math] имеет характерную поверхностную плотность порядка 10⁻⁶ Кл/см². В отличие от тиристора, динистор не имеет управляющего электрода, позволяющего ввести управляющий заряд с помощью тока управляющего электрода. Поэтому для переключения динистора на практике применяются другие методы. К ним относится, в частности, повышение напряжения на коллекторном переходе.

С S-образной ВАХ связано явление гистерезиса: при увеличении напряжения прибор находится в запертом состоянии до достижения напряжения включения [math]\displaystyle{ U_S, }[/math] при уменьшении тока через прибор остается в открытом состоянии до достижения напряжения удержания [math]\displaystyle{ U_H, }[/math] причём [math]\displaystyle{ U_H \lt U_S. }[/math]

Для экспериментального наблюдения этого явления ток через динистор необходимо ограничивать последовательно включённым омическим сопротивлением. Два состояния прибора заданы пересечением ВАХ и нагрузочной прямой.

Для динистора, как и других приборов с S-образной ВАХ, характерно нежелательное явление шнурования тока.

Применение

«Скульптура»-динистор, США

В 1950-е годы динистор явился одним из первых полупроводниковых приборов использующих кремний (не германий), в Калифорнии установлен «памятник» этому прибору в связи с его исторической значимостью.

Много лет широко использовался в схемотехнике в качестве ключа, например, для создания импульса отпирания тиристора в схемах управления тиристорами. Благодаря простоте конструкции и дешевизне считался идеальным элементом в схеме тиристорного регулятора мощности или импульсного генератора.

С 1990-х годов был вытеснен для слаботочных применений такими элементами как диак.

Ныне динисторы используются преимущественно в силовой полупроводниковой электронике: для этого разрабатываются новые конструкции динисторов, а также принципы подачи напряжения.

Мощные динисторы

Основная статья: Реверсивно включаемый динистор

Специфика мощных динисторов состоит в ряде конструктивных особенностей и выборе параметров полупроводниковых слоёв, в том числе слабом легировании баз для повышения напряжения включения и большой площади переходов приборов. При этом должен использоваться особый способ перевода прибора в открытое состояние.

Так, в реверсивно включаемом динисторе (РВД) — силовом импульсном приборе — сначала подаётся слабый импульс тока с обратной (то есть нерабочей) полярностью, когда базы, в первую очередь n-база, заполняются электронно-дырочной плазмой через прямосмещённый коллекторный переход. После этого, уже при рабочей полярности, включение динистора происходит легче, чем без предварительной подачи импульса с обратной полярностью, механизм открытия подобен управлению тиристора по управляющему электроду. Преимуществом является одновременность включения сразу по всей площади полупроводниковой структуры.

Такие приборы в настоящее время изготавливаются из кремния; также обсуждается возможность использования карбида кремния (SiC) для применения при высокой температуре.

Схемотехнические символы

Для динистора на принципиальных электрических схемах в иностранной литературе нет единого общепринятого обозначения. По ГОСТ 2.730-73 условное графическое обозначение динистора - перечёркнутый символ диода. Некоторые варианты символов представлены ниже:

• 

• 

  ГОСТ 2.730-73, Klaus Beuth: Bauelemente

• 

• 

Некоторые из условных графических обозначений динистора образованы начертанием цифры 4, — по количеству слоёв в структуре. Это видно, если повернуть третий слева рисунок на 180 ° (см. также фото «памятника» динистору).